Pemahaman dan Karakteristik Fototransistor

1.    Bagaimana cara membuat transistor secara manual adalah
Dalam teknik penumbuhan (grown technique), suatu kristal tunggal ditarik dari lelehan silikon (germanium) yang mengandung atau dapat dikatakan pencampuran jenis n. Selama proses penarikan jenis pencampur dari lelehan diubah dengan menambahakan mula – mula pencampur jenis p. Kemudian pencampur jenis n ditambahkan lagi membentuk transistor jenis n-p-n. Demikian pula, transistor p-n-p dapat pula dibuat. 

Dalam teknik aloi atau teknik leleh (fused), bintik kecil indium (elemen aseptor) ditempatkan masing-masing sisi wafer tipis semikonduktor jenis n.Gabungan tersebut dipanaskan dalam waktu singkat pada temperature tinggi.Selama proses tersebut indium meresap dan masuk ke dalam smikonduktor.Susunan pada waktu mendingin menjadi transistor p-n-p.Dengan cara yang sama transistor n-p-n dapat dibuat.

Dalam teknik difusi, semikonduktor ekstrinsik (dikatakan jenis n) berperan sebagai kolektor yang dipanaskan dalam pembakar berisi pencampur jenis p. Hasil   pencampuran yang berbentuk gas berdifusi masuk ke dalam permukaan semikonduktor membentuk daerah p yang akan digunakan sebagai basis transistor.Irisan ini kemudian ditutup oleh mask dengan bukaan tertentu kemudian dipanaskan kembali dalam bentuk gas dari pencampur jenis n yang akan membentuk bahan jenis n dalam lapisan jenis p. Lapisan n  akan membentuk emitter dari transistor yang merupakan proses rombongan (batch). Dalam teknik difusi tebal irisan (kolektor), yang digunakan sebagai bahan awal dan tidak dapat dibuat sangat tipis.Hal ini menyebabkan kolektor sangat resistif dan tidak cocok untuk penggunaan tertentu.

Dalam teknik epitaksial, lapisan tipis jenis n atau jenis p dari semikonduktor dikembangkan pada bahan semikonduktor yang diserapi (doping) berat.Bahan diserapi berat ini dinamakan landasan atauu lapisan yang terbentuk demikian dapat berperan sebagai kolektor, basis, dan emitter dari transistor.Dapat disebutkan disini bahwa perkembangan terakhir dalam teknik ini menumbuhkan lapisan sangat tipis dalam tebal beberapa puluh atau angstrom.

2.    Keuntungan system sensor yang menggunakan fototransistor adalah

• Vout Sudah Digital.
• Tidak butuh preamp penguat signal.
• Operasi tegangan rendah (5V).
• Proyek pembuatan sensor lebih mudah

3.    Kelemahan system sensor yang menggunakan fototransistor adalah

• Rawan Kotoran.
• Harus mengerti elektronik walau sedikit.
• Butuh regulator stepdown dari 12V ke 5V.
• Untuk sistem pengapian langsung akan mengunci ON terus atau OFF terus saat sensor tidak berputar.(Rawan terbakar pada Coil dan Driver sistem pengapian

4.    Karakteristik dari fototransistor adalah

• Dalam rangkaian jika menerima cahaya akan berfungsi sebagai resistan.
• Dapat menerima penerimaan cahaya yang redup (kecil).
• Semakin tinggi intensitas cahaya yang diterima, maka semakin besar pula resistan yang   dihasilkan.
• Memerlukan sumber tegangan yang kecil.
• Menghantarkan arus saat ada cahaya yang mengenainya.
• Penerimaan cahaya dilakukan pada bagian basis.
• Apabila tidak menerima cahaya maka tidak akan menghantarkan arus.

5.    Perbedaan fototransistor dengan foto diode adalah

• Fototransistor lebih cepat merespon cahaya
• Waktu keluarannya lebih lambat dari fotodioda
• Fototransistor biasanya ditempatkan dalam suatu material transparan